国产高压抗辐射碳化硅功率器件成功在轨验证
2025-01-22
中国科学院微电子研究所与空间应用工程与技术中心合作,成功研制并验证了首款国产高压抗辐射碳化硅(SiC)功率器件。该器件在天舟八号货运飞船上完成第一阶段在轨验证,测试数据正常,显示出显著的性能优势,有望提升空间电源效率并简化散热设备,降低发射成本或增加装载容量。


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